Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN24H3D5L-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4972541Obraz DMN24H3D5L-7.Diodes Incorporated

DMN24H3D5L-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.68
10+
$0.569
100+
$0.426
500+
$0.313
1000+
$0.242
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN24H3D5L-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN24H3D5L-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.5 Ohm @ 300mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    760mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMN24H3D5L-7DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    188pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    3.3V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    240V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 240V 480mA (Ta) 760mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    480mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN24H3D5L-7”.
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Opis: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Opis: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Opis: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Opis: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.