Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN2230UQ-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5904290Obraz DMN2230UQ-7.Diodes Incorporated

DMN2230UQ-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.53
10+
$0.416
100+
$0.285
500+
$0.196
1000+
$0.147
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN2230UQ-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN2230UQ-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    600mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    DMN2230UQ-7DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    188pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.3nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN2230UQ-7”.
DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Opis: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300U-7

DMN2300U-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2114SN-7

DMN2114SN-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2112SN-7

DMN2112SN-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2215UDM-7

DMN2215UDM-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B

Opis: MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2230U-7

DMN2230U-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2170U-7

DMN2170U-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2104L-7

DMN2104L-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.