Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN2040LTS-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1081252

DMN2040LTS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.196
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN2040LTS-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN2040LTS-13.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-TSSOP
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    26 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Moc - Max
    890mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    570pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5.2nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.7A (Ta) 890mW Surface Mount 8-TSSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.7A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN2040LTS-13”.
DMN2041L-7

DMN2041L-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2029USD-13

DMN2029USD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2041UFDB-13

DMN2041UFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2036UCB4-7

DMN2036UCB4-7

Opis: MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2041LSD-13

DMN2041LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFDH-7

DMN2028UFDH-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2046U-13

DMN2046U-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2044UCB4-7

DMN2044UCB4-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2050L-7

DMN2050L-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFDF-7

DMN2028UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2041UFDB-7

DMN2041UFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFU-13

DMN2028UFU-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2050LFDB-13

DMN2050LFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2050LFDB-7

DMN2050LFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UVT-13

DMN2028UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028USS-13

DMN2028USS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2046U-7

DMN2046U-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2040LSD-13

DMN2040LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UVT-7

DMN2028UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.