Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN2028UVT-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6055806

DMN2028UVT-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.52
10+
$0.405
100+
$0.278
500+
$0.19
1000+
$0.143
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN2028UVT-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN2028UVT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TSOT-26
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.2W (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    DMN2028UVT-7DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    856pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.2A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN2028UVT-7”.
DMN2036UCB4-7

DMN2036UCB4-7

Opis: MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFDF-13

DMN2028UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UVT-13

DMN2028UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2027UPS-13

DMN2027UPS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFDH-7

DMN2028UFDH-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2041UFDB-13

DMN2041UFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2041L-7

DMN2041L-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2041UFDB-7

DMN2041UFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2046U-13

DMN2046U-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2040LTS-13

DMN2040LTS-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFDF-7

DMN2028UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2041LSD-13

DMN2041LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028USS-13

DMN2028USS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2040LSD-13

DMN2040LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFU-13

DMN2028UFU-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2027LK3-13

DMN2027LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2029USD-13

DMN2029USD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2044UCB4-7

DMN2044UCB4-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.