Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN2027UPS-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6273249Obraz DMN2027UPS-13.Diodes Incorporated

DMN2027UPS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.267
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN2027UPS-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN2027UPS-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI5060-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.1W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    DMN2027UPS-13DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    36 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1091pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    11.6nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 10A (Ta), 36A (Tc) 1.1W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 36A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN2027UPS-13”.
DMN2028UFDF-7

DMN2028UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

Opis: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UVT-7

DMN2028UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UVT-13

DMN2028UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2036UCB4-7

DMN2036UCB4-7

Opis: MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFDH-7

DMN2028UFDH-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2027LK3-13

DMN2027LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Opis: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028USS-13

DMN2028USS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFU-13

DMN2028UFU-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2028UFDF-13

DMN2028UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Opis: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2029USD-13

DMN2029USD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.