Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN2004VK-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4279753Obraz DMN2004VK-7.Diodes Incorporated

DMN2004VK-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.54
10+
$0.423
100+
$0.29
500+
$0.199
1000+
$0.149
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN2004VK-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN2004VK-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-563
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    550 mOhm @ 540mA, 4.5V
  • Moc - Max
    250mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-563, SOT-666
  • Inne nazwy
    DMN2004VKDICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    150pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    -
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 540mA 250mW Surface Mount SOT-563
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    540mA
  • Podstawowy numer części
    DMN2004VK

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN2004VK-7”.
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Opis: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Opis: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Opis: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Opis: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.