Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN2005UFG-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5458185Obraz DMN2005UFG-7.Diodes Incorporated

DMN2005UFG-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.257
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN2005UFG-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN2005UFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI3333-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.05W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerWDFN
  • Inne nazwy
    DMN2005UFG-7DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6495pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    164nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    18.1A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN2005UFG-7”.
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Opis: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Opis: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.