Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN1033UCB4-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5889362Obraz DMN1033UCB4-7.Diodes Incorporated

DMN1033UCB4-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.85
10+
$0.746
100+
$0.576
500+
$0.426
1000+
$0.341
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN1033UCB4-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN1033UCB4-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    U-WLB1818-4
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    -
  • Moc - Max
    1.45W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    4-UFBGA, WLBGA
  • Inne nazwy
    DMN1033UCB4-7DICT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    -
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    37nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.45W Surface Mount U-WLB1818-4
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN1033UCB4-7”.
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Opis: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Opis: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.