Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN10H099SFG-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1686557Obraz DMN10H099SFG-7.Diodes Incorporated

DMN10H099SFG-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.275
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN10H099SFG-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN10H099SFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI3333-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    80 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    980mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerWDFN
  • Inne nazwy
    DMN10H099SFG-7DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1172pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN10H099SFG-7”.
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Opis: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Opis: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.