Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMC3016LNS-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1359216

DMC3016LNS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.271
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMC3016LNS-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMC3016LNS-13.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI3333-8
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V
  • Moc - Max
    1.3W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    9.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel Complementary
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 9A (Ta), 6.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta), 6.8A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMC3016LNS-13”.
DMC2990UDJ-7

DMC2990UDJ-7

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LDV-13

DMC3025LDV-13

Opis: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LNS-7

DMC3025LNS-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC2700UDMQ-7

DMC2700UDMQ-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3016LDV-13

DMC3016LDV-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LDV-7

DMC3025LDV-7

Opis: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3016LNS-7

DMC3016LNS-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3018LSD-13

DMC3018LSD-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC2990UDJQ-7B

DMC2990UDJQ-7B

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3021LK4-13

DMC3021LK4-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3016LDV-7

DMC3016LDV-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC266060R

DMC266060R

Opis: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC292M

DMC292M

Opis: CIR CRIMP TOOL KIT

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
DMC3021LSDQ-13

DMC3021LSDQ-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC2700UDM-7

DMC2700UDM-7

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3016LSD-13

DMC3016LSD-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LNS-13

DMC3025LNS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC266050R

DMC266050R

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DMC2990UDJQ-7

DMC2990UDJQ-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.