Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMC3016LSD-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4848841Obraz DMC3016LSD-13.Diodes Incorporated

DMC3016LSD-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.68
10+
$0.569
100+
$0.426
500+
$0.313
1000+
$0.242
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMC3016LSD-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMC3016LSD-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    16 mOhm @ 12A, 10V
  • Moc - Max
    1.2W
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    DMC3016LSD-13DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.2A, 6.2A 1.2W Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8.2A, 6.2A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMC3016LSD-13”.
DMC2990UDJQ-7B

DMC2990UDJQ-7B

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LNS-7

DMC3025LNS-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC2990UDJ-7

DMC2990UDJ-7

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LDV-7

DMC3025LDV-7

Opis: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3016LDV-7

DMC3016LDV-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC2700UDMQ-7

DMC2700UDMQ-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LSDQ-13

DMC3025LSDQ-13

Opis: MOSFETN/P-CH30VSO-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3016LNS-7

DMC3016LNS-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC2990UDJQ-7

DMC2990UDJQ-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3018LSD-13

DMC3018LSD-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3016LNS-13

DMC3016LNS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC292M

DMC292M

Opis: CIR CRIMP TOOL KIT

Producenci: Cannon
Na stanie
RFQ
DMC3016LDV-13

DMC3016LDV-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC2700UDM-7

DMC2700UDM-7

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LNS-13

DMC3025LNS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3021LSDQ-13

DMC3021LSDQ-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3021LK4-13

DMC3021LK4-13

Opis: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMC3025LDV-13

DMC3025LDV-13

Opis: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.