Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DI9435T
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1640437Obraz DI9435T.Diodes Incorporated

DI9435T

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DI9435T
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    DI9435T.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    50 mOhm @ 5.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
  • Inne nazwy
    DI9435
    DI9435CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    950pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DI9435T”.
DI9945T

DI9945T

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DI9942T

DI9942T

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DI9952T

DI9952T

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FQA160N08

FQA160N08

Opis: MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N6661JTXL02

2N6661JTXL02

Opis: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXTH6N150

IXTH6N150

Opis: MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NTMFS5C646NLT3G

NTMFS5C646NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V 20A SO-8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSQ015N06TR

RSQ015N06TR

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS5832NLT1G

NVMFS5832NLT1G

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AUIRFR120Z

AUIRFR120Z

Opis: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DI9405T

DI9405T

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SPP15P10P

SPP15P10P

Opis: MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DI9430T

DI9430T

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SPD04N50C3BTMA1

SPD04N50C3BTMA1

Opis: MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFR6215TRL

IRFR6215TRL

Opis: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DI9956T

DI9956T

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IPB65R150CFDAATMA1

IPB65R150CFDAATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRLBD59N04ETRLP

IRLBD59N04ETRLP

Opis: MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
3LP01SS-TL-H

3LP01SS-TL-H

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DI9400T

DI9400T

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.