Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DI9400T
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4583414Obraz DI9400T.Diodes Incorporated

DI9400T

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.62
10+
$2.354
100+
$1.892
500+
$1.555
1000+
$1.288
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DI9400T
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    DI9400T.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    130 mOhm @ 1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SMD, Gull Wing
  • Inne nazwy
    DI9400
    DI9400CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    350pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.4A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DI9400T”.
NTMS4807NR2G

NTMS4807NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DI9435T

DI9435T

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
TSM4436CS RLG

TSM4436CS RLG

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
IPI80N06S207AKSA1

IPI80N06S207AKSA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI7450DP-T1-E3

SI7450DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXFR48N60Q3

IXFR48N60Q3

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
BUK9Y7R6-40E,115

BUK9Y7R6-40E,115

Opis: MOSFET N-CH 40V LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
DI9942T

DI9942T

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DI9952T

DI9952T

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DI9945T

DI9945T

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FQA16N25C

FQA16N25C

Opis: MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPU50R2K0CEBKMA1

IPU50R2K0CEBKMA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DI9405T

DI9405T

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
2N7002T-7-F

2N7002T-7-F

Opis: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI8469DB-T2-E1

SI8469DB-T2-E1

Opis: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFR3910CPBF

IRFR3910CPBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
PSMN3R3-80PS,127

PSMN3R3-80PS,127

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
DI9430T

DI9430T

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DI9956T

DI9956T

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.