Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N4448W-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4844596Obraz 1N4448W-7.Diodes Incorporated

1N4448W-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N4448W-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    1N4448W-7.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    250mA
  • Napięcie - Podział
    SOD-123
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Polaryzacja
    SOD-123
  • Inne nazwy
    1N4448W
    1N4448W7
    1N4448WCT
    1N4448WCT-ND
    1N4448WDICT
  • Temperatura pracy - złącze
    4ns
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    1N4448W-7
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 75V 250mA Surface Mount SOD-123
  • Diode Configuration
    2.5µA @ 75V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.25V @ 150mA
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    75V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N4448W-7”.
1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448W-G3-08

1N4448W-G3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Opis: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4448WS

1N4448WS

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4448W-HE3-08

1N4448W-HE3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448W-HE3-18

1N4448W-HE3-18

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Opis: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448W-E3-08

1N4448W-E3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448W-TP

1N4448W-TP

Opis: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Opis: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448W-7-F

1N4448W-7-F

Opis: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Opis: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448WQ-7-F

1N4448WQ-7-F

Opis: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.