Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N4448HWT-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4098076Obraz 1N4448HWT-7.Diodes Incorporated

1N4448HWT-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.061
6000+
$0.053
15000+
$0.045
30000+
$0.042
75000+
$0.04
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N4448HWT-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1N4448HWT-7.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 100mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    80V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOD-523
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    4ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-79, SOD-523
  • Inne nazwy
    1N4448HWT-7-F
    1N4448HWT-FDITR
    1N4448HWT-FDITR-ND
    1N4448HWT7
    1N4448HWTDITR
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 80V 125mA Surface Mount SOD-523
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100nA @ 80V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    125mA
  • Pojemność @ VR F
    3pF @ 0.5V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    1N4448H

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N4448HWT-7”.
1N4448-T

1N4448-T

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Opis: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Opis: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448W-7-F

1N4448W-7-F

Opis: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448W-E3-08

1N4448W-E3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Opis: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448-A

1N4448-A

Opis: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448-TP

1N4448-TP

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448,143

1N4448,143

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
1N4448,133

1N4448,133

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
1N4448W-G3-08

1N4448W-G3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4448W-7

1N4448W-7

Opis: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Opis: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.