Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > AOV11S60
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4239501Obraz AOV11S60.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOV11S60

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3500+
$1.247
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AOV11S60
  • Producent / marka
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.AOV11S60.pdf
    2.AOV11S60.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    4-DFN-EP (8x8)
  • Seria
    aMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    500 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    8.3W (Ta), 156W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    4-PowerTSFN
  • Inne nazwy
    785-1683-2
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    545pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    650mA (Ta), 8A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AOV11S60”.
TPN13008NH,L1Q

TPN13008NH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
NTMFS4931NT1G

NTMFS4931NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFH150N15P

IXFH150N15P

Opis: MOSFET N-CH 150V 150A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
EPC2019ENG

EPC2019ENG

Opis: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
SUP50N10-21P-GE3

SUP50N10-21P-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
AOV15S60

AOV15S60

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IPC90R1K2C3X1SA1

IPC90R1K2C3X1SA1

Opis: MOSFET N-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
CSD17313Q2T

CSD17313Q2T

Opis: MOSFET N-CH 30V 5A

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
EPC2015CENGR

EPC2015CENGR

Opis: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
2SK2989,F(J

2SK2989,F(J

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DMP2021UTSQ-13

DMP2021UTSQ-13

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
HTNFET-TC

HTNFET-TC

Opis: MOSFET N-CH 55V 4-PIN

Producenci: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Na stanie
RFQ
STL4N10F7

STL4N10F7

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDD6685

FDD6685

Opis: MOSFET P-CH 30V 11A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTK140N20P

IXTK140N20P

Opis: MOSFET N-CH 200V 140A TO-264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Opis: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AOV20S60

AOV20S60

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOD4144_002

AOD4144_002

Opis: MOSFET N-CH TO252

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.