Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > AOU4S60
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1285878Obraz AOU4S60.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOU4S60

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
4000+
$0.717
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AOU4S60
  • Producent / marka
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 4A TO251
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.AOU4S60.pdf
    2.AOU4S60.pdf
    3.AOU4S60.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251-3
  • Seria
    aMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    900 mOhm @ 2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    56.8W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    263pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 4A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „AOU4S60”.
CSD18503Q5A

CSD18503Q5A

Opis: MOSFET N-CH 40V 8SON

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
AOU7S60

AOU7S60

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO251

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOU2N60A

AOU2N60A

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
STD19NF06L

STD19NF06L

Opis: MOSFET N-CH 60V DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
EPC2012CENGR

EPC2012CENGR

Opis: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
AOU4N60

AOU4N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 4A TO251

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOU7S65

AOU7S65

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO251

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOU3N60_001

AOU3N60_001

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
SPB10N10L

SPB10N10L

Opis: MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STB95N4F3

STB95N4F3

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRFI520GPBF

IRFI520GPBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
AOU3N60

AOU3N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
JANTXV2N6849U

JANTXV2N6849U

Opis: MOSFET P-CH 100V 6.5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
SSM6J507NU,LF

SSM6J507NU,LF

Opis: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
AOU3N50

AOU3N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOU2N60_001

AOU2N60_001

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A TO251

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOU2N60

AOU2N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A TO251

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
MCH6437-TL-W

MCH6437-TL-W

Opis: MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AOU1N60

AOU1N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.