Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C64M16D1-6TINTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2150129

AS4C64M16D1-6TINTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$19.496
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C64M16D1-6TINTR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    66-TSOP II
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1Gb (64M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Czas dostępu
    700ps
AS4C64M16D1A-6TINTR

AS4C64M16D1A-6TINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1A-6TIN

AS4C64M16D1A-6TIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1A-6TCN

AS4C64M16D1A-6TCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M8D3LB-12BIN

AS4C512M8D3LB-12BIN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1-6TIN

AS4C64M16D1-6TIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M8D3LB-12BCNTR

AS4C512M8D3LB-12BCNTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M8D3LB-12BAN

AS4C512M8D3LB-12BAN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BCN

AS4C64M16D2-25BCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1A-6TCNTR

AS4C64M16D1A-6TCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1-6TCN

AS4C64M16D1-6TCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BINTR

AS4C64M16D2-25BINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1-6TCNTR

AS4C64M16D1-6TCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BAN

AS4C64M16D2-25BAN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BANTR

AS4C64M16D2-25BANTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M8D3LB-12BINTR

AS4C512M8D3LB-12BINTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M8D3LB-12BANTR

AS4C512M8D3LB-12BANTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BIN

AS4C64M16D2-25BIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M8D3LA-12BINTR

AS4C512M8D3LA-12BINTR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C512M8D3LB-12BCN

AS4C512M8D3LB-12BCN

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BCNTR

AS4C64M16D2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść