Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > AS4C64M16D2-25BINTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
114524Obraz AS4C64M16D2-25BINTR.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M16D2-25BINTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    AS4C64M16D2-25BINTR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 1G PARALLEL 84TFBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    84-TFBGA (12.5x8)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    84-TFBGA
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1Gb (64M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-TFBGA (12.5x8)
  • Częstotliwość zegara
    400MHz
  • Czas dostępu
    400ps
AS4C64M16D2-25BAN

AS4C64M16D2-25BAN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2A-25BAN

AS4C64M16D2A-25BAN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BIN

AS4C64M16D2-25BIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2A-25BINTR

AS4C64M16D2A-25BINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BANTR

AS4C64M16D2-25BANTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2B-25BCNTR

AS4C64M16D2B-25BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1A-6TCN

AS4C64M16D1A-6TCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D3-12BAN

AS4C64M16D3-12BAN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2A-25BIN

AS4C64M16D2A-25BIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D3-12BANTR

AS4C64M16D3-12BANTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2A-25BCN

AS4C64M16D2A-25BCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BCNTR

AS4C64M16D2-25BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84TFBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2B-25BCN

AS4C64M16D2B-25BCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2-25BCN

AS4C64M16D2-25BCN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1A-6TINTR

AS4C64M16D1A-6TINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1A-6TCNTR

AS4C64M16D1A-6TCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1-6TINTR

AS4C64M16D1-6TINTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2A-25BANTR

AS4C64M16D2A-25BANTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D1A-6TIN

AS4C64M16D1A-6TIN

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie
AS4C64M16D2A-25BCNTR

AS4C64M16D2A-25BCNTR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Producenci: Alliance Memory, Inc.
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść