Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze > S1JVNJD2873T4G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4925763

S1JVNJD2873T4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2500+

$0.31

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

S1JVNJD2873T4G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANSISTOR PNP BIPO
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

300mV @ 50mA, 1A
Typ tranzystora

NPN
Dostawca urządzeń Pakiet

DPAK
Seria

-
Moc - Max

1.68W
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura robocza

-65°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

14 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

65MHz
szczegółowy opis

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 65MHz 1.68W Surface Mount DPAK
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks)

2A

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „S1JVNJD2873T4G”.

S1JLS RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JMHRSG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JTR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

Na stanie

S1JLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLWHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLSHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JM RSG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S1JLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.