Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S1JLHMTG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
127631Obraz S1JLHMTG.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1JLHMTG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
15000+
$0.058
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S1JLHMTG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.8µs
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    9pF @ 4V, 1MHz
S1JL R3G

S1JL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLW RVG

S1JLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JL RFG

S1JL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHRUG

S1JLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHMHG

S1JLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JL RVG

S1JL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHRHG

S1JLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHR3G

S1JLHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHMQG

S1JLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHRFG

S1JLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHM2G

S1JLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JL RQG

S1JL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHRVG

S1JLHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHRQG

S1JLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLSHRVG

S1JLSHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JL RHG

S1JL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLHRTG

S1JLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JL RUG

S1JL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JLS RVG

S1JLS RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1JL RTG

S1JL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść