Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVR1P02T1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4040521Obraz NVR1P02T1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVR1P02T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.166
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVR1P02T1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVR1P02T1G.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    180 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    400mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    NVR1P02T1G-ND
    NVR1P02T1GOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    30 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    165pF @ 5V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.5nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVR1P02T1G”.
NVR5198NLT1G

NVR5198NLT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI4712DY-T1-GE3

SI4712DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STP10NM65N

STP10NM65N

Opis: MOSFET N-CH 650V 9A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
DMP2240UWQ-7

DMP2240UWQ-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
NVR-04

NVR-04

Opis: WIRE TO BOARD CRIMP CONN 5.0MM

Producenci: JST
Na stanie
RFQ
SQR70090ELR_GE3

SQR70090ELR_GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVR-02

NVR-02

Opis: CONN RCP 2POS 5MM CRMP

Producenci: JST
Na stanie
RFQ
NVR4003NT3G

NVR4003NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V SOT-23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDU8780_F071

FDU8780_F071

Opis: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STP7NK40Z

STP7NK40Z

Opis: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
PMV280ENEAR

PMV280ENEAR

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
NVR5198NLT3G

NVR5198NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVR4501NT1G

NVR4501NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS5C468NLAFT1G

NVMFS5C468NLAFT1G

Opis: MOSFET N-CH 40V 13A 37A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPI120N04S401AKSA1

IPI120N04S401AKSA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SUD35N10-26P-E3

SUD35N10-26P-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BSZ146N10LS5ATMA1

BSZ146N10LS5ATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NVR5124PLT1G

NVR5124PLT1G

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STW75NF30

STW75NF30

Opis: MOSFET N-CH 300V 60A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.