Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVC6S5A354PLZT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
352053Obraz NVC6S5A354PLZT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVC6S5A354PLZT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.263
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVC6S5A354PLZT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVC6S5A354PLZT1G.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-CPH
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    100 mOhm @ 2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.9W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    NVC6S5A354PLZT1G-ND
    NVC6S5A354PLZT1GOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    13 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    600pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-CPH
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVC6S5A354PLZT1G”.
IRF6785MTR1PBF

IRF6785MTR1PBF

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPC60R199CPX1SA1

IPC60R199CPX1SA1

Opis: MOSFET N-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BUK768R1-100E,118

BUK768R1-100E,118

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
STB33N65M2

STB33N65M2

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IXFA30N60X

IXFA30N60X

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
BUK952R3-40E,127

BUK952R3-40E,127

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
VS-FC420SA10

VS-FC420SA10

Opis: POWER MODULE 100V 435A SOT-227

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7457DP-T1-E3

SI7457DP-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVD5890NLT4G-VF01

NVD5890NLT4G-VF01

Opis: MOSFET N-CH 40V 123A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
TK16A60W5,S4VX

TK16A60W5,S4VX

Opis: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IRFR9024NTRR

IRFR9024NTRR

Opis: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BUK9Y14-80E,115

BUK9Y14-80E,115

Opis: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
FQPF9N90CT

FQPF9N90CT

Opis: MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK7905-40ATE,127

BUK7905-40ATE,127

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Opis: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STR2P3LLH6

STR2P3LLH6

Opis: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FQD4P25TM

FQD4P25TM

Opis: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVC3S5A51PLZT1G

NVC3S5A51PLZT1G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSS127H6327XTSA1

BSS127H6327XTSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.