Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVC3S5A51PLZT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5310721Obraz NVC3S5A51PLZT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVC3S5A51PLZT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.255
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVC3S5A51PLZT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVC3S5A51PLZT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-CPH
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    250 mOhm @ 1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    NVC3S5A51PLZT1G-ND
    NVC3S5A51PLZT1GOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    262pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 3-CPH
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVC3S5A51PLZT1G”.
IPP90R800C3XKSA1

IPP90R800C3XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXKK85N60C

IXKK85N60C

Opis: MOSFET N-CH 600V 85A TO-264

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
TP5322N8-G

TP5322N8-G

Opis: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
AON6404A_001

AON6404A_001

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Opis: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BUK6212-40C,118

BUK6212-40C,118

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BUK7535-55A,127

BUK7535-55A,127

Opis: MOSFET N-CH 55V 35A TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BSP295L6327HTSA1

BSP295L6327HTSA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NTP5411NG

NTP5411NG

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVC6S5A354PLZT1G

NVC6S5A354PLZT1G

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFC30N60P

IXFC30N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRF3709ZSTRR

IRF3709ZSTRR

Opis: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STI23NM60N

STI23NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRL3715ZL

IRL3715ZL

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BUK9E2R3-40E,127

BUK9E2R3-40E,127

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
IPF09N03LA G

IPF09N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
TPCA8045-H(T2L1,VM

TPCA8045-H(T2L1,VM

Opis: MOSFET N-CH 40V 46A 8-SOP ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
AUIRF7478Q

AUIRF7478Q

Opis: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.