Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVB6412ANT4G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5057849Obraz NVB6412ANT4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVB6412ANT4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$0.954
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVB6412ANT4G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVB6412ANT4G.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D2PAK-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    18.2 mOhm @ 58A, 10V
  • Strata mocy (max)
    167W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 58A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVB6412ANT4G”.
NVB6411ANT4G

NVB6411ANT4G

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Opis: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
NVB5860NT4G

NVB5860NT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVB6410ANT4G

NVB6410ANT4G

Opis: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVBP

NVBP

Opis: VERTICAL BLANKING PANELS WITH PA

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVB5404NT4G

NVB5404NT4G

Opis: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVB5860NLT4G

NVB5860NLT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STS9NF3LL

STS9NF3LL

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NVB5405NT4G

NVB5405NT4G

Opis: MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFR9014NTRL

IRFR9014NTRL

Opis: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVB25P06T4G

NVB25P06T4G

Opis: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP2N60C

FQP2N60C

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVB60N06T4G

NVB60N06T4G

Opis: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF17N08L

FQPF17N08L

Opis: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTD24N06-1G

NTD24N06-1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVB6413ANT4G

NVB6413ANT4G

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVB5426NT4G

NVB5426NT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.