Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVB5405NT4G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

1527033

Obraz NVB5405NT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVB5405NT4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NVB5405NT4G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D2PAK
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

5.8 mOhm @ 40A, 10V
Strata mocy (max)

3W (Ta), 150W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

4000pF @ 32V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

88nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

40V
szczegółowy opis

N-Channel 40V 16.5A (Ta), 116A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

16.5A (Ta), 116A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NVB5405NT4G”.

NVB5426NT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

STR2P3LLH6

Opis: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

Producenci: STMicroelectronics

Na stanie

BSS119NH6433XTMA1

BSS119NH6433XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

IRF300P227

Opis: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

NVB6412ANT4G

Opis: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVB5860NLT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVBP

Opis: VERTICAL BLANKING PANELS WITH PA

Producenci: Panduit

Na stanie

NVB25P06T4G

Opis: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

IRFS4610PBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

NVB6413ANT4G

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

SI3477DV-T1-GE3

SI3477DV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

ZVN3320ASTOB

ZVN3320ASTOB

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

IXTP14N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 14A TO-220

Producenci: IXYS Corporation

Na stanie

NVB5404NT4G

Opis: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVB6411ANT4G

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVB60N06T4G

Opis: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

AOI516_002

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Na stanie

NVB5860NT4G

Opis: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NVB6410ANT4G

Opis: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

TK25N60X,S1F

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.