Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTMS5P02R2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
790657

NTMS5P02R2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.85
10+
$0.746
100+
$0.576
500+
$0.426
1000+
$0.341
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NTMS5P02R2G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NTMS5P02R2G.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.25V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOIC
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    790mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    NTMS5P02R2GOSCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1900pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    35nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.95A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NTMS5P02R2G”.
NTMS5P02R2SG

NTMS5P02R2SG

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD2P102R2SG

NTMSD2P102R2SG

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS7N03R2G

NTMS7N03R2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD3P102R2G

NTMSD3P102R2G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4939NR2G

NTMS4939NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4935NR2G

NTMS4935NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD3P102R2

NTMSD3P102R2

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD3P102R2SG

NTMSD3P102R2SG

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD2P102R2

NTMSD2P102R2

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD2P102LR2G

NTMSD2P102LR2G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4937NR2G

NTMS4937NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS5838NLR2G

NTMS5838NLR2G

Opis: MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS7N03R2

NTMS7N03R2

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4P01R2

NTMS4P01R2

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD2P102LR2

NTMSD2P102LR2

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4920NR2G

NTMS4920NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4N01R2G

NTMS4N01R2G

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4916NR2G

NTMS4916NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

Opis: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4917NR2G

NTMS4917NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.