Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTMSD2P102LR2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6426013

NTMSD2P102LR2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.435
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NTMSD2P102LR2G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NTMSD2P102LR2G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOIC
  • Seria
    FETKY™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    710mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    NTMSD2P102LR2GOS
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    750pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NTMSD2P102LR2G”.
NTMSD3P102R2SG

NTMSD3P102R2SG

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD6N303R2SG

NTMSD6N303R2SG

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD6N303R2G

NTMSD6N303R2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD3P303R2G

NTMSD3P303R2G

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD2P102LR2

NTMSD2P102LR2

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4N01R2G

NTMS4N01R2G

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD2P102R2

NTMSD2P102R2

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD6N303R2

NTMSD6N303R2

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4937NR2G

NTMS4937NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD2P102R2SG

NTMSD2P102R2SG

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS7N03R2G

NTMS7N03R2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS5P02R2SG

NTMS5P02R2SG

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4939NR2G

NTMS4939NR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD3P102R2

NTMSD3P102R2

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS7N03R2

NTMS7N03R2

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

Opis: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS5P02R2G

NTMS5P02R2G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMSD3P102R2G

NTMSD3P102R2G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS4P01R2

NTMS4P01R2

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS5838NLR2G

NTMS5838NLR2G

Opis: MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.