Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTLJS3113PT1G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4373180

Obraz NTLJS3113PT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJS3113PT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.214

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NTLJS3113PT1G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NTLJS3113PT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (maks.)

±8V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

6-WDFN (2x2)
Seria

µCool™
RDS (Max) @ ID, Vgs

40 mOhm @ 3A, 4.5V
Strata mocy (max)

700mW (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-WDFN Exposed Pad
Inne nazwy

NTLJS3113PT1G-ND
NTLJS3113PT1GOSTR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

6 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1329pF @ 16V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

15.7nC @ 4.5V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

P-Channel 20V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NTLJS3113PT1G”.

NTLJS4149PTBG

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF4156NTAG

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS2103PTAG

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS1102PTBG

Opis: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF4156NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS4114NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS4159NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF3118NTAG

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS1102PTAG

Opis: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS3180PZTBG

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF3117PTAG

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS2103PTBG

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS3180PZTAG

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS3A18PZTWG

Opis: MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS3A18PZTXG

Opis: MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF3117PT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS4114NTAG

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS4149PTAG

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS3113PTAG

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF3118NTBG

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.