Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NTLJF3117PT1G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4851375

Obraz NTLJF3117PT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJF3117PT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.194

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NTLJF3117PT1G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NTLJF3117PT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (maks.)

±8V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

6-WDFN (2x2)
Seria

µCool™
RDS (Max) @ ID, Vgs

100 mOhm @ 2A, 4.5V
Strata mocy (max)

710mW (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-WDFN Exposed Pad
Inne nazwy

NTLJF3117PT1G-ND
NTLJF3117PT1GOSTR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

35 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

531pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

Schottky Diode (Isolated)
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NTLJF3117PT1G”.

NTLJD3181PZTBG

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS2103PTBG

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS3113PT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS1102PTBG

Opis: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF3117PTAG

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJD3119CTAG

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJD3181PZTAG

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS1102PTAG

Opis: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJD3183CZTAG

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJS2103PTAG

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJD3119CTBG

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJD4150PTBG

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJD3183CZTBG

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF3118NTAG

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF4156NTAG

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJD3182FZTAG

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJD3182FZTBG

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF3118NTBG

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJD4116NT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTLJF4156NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.