Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > NSBA123EF3T5G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3987632

Obraz NSBA123EF3T5G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA123EF3T5G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

8000+

$0.098

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NSBA123EF3T5G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS PREBIAS DUAL PNP
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NSBA123EF3T5G.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

250mV @ 5mA, 10mA
Typ tranzystora

PNP - Pre-Biased
Dostawca urządzeń Pakiet

SOT-1123
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

2.2 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1)

2.2 kOhms
Moc - Max

254mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SOT-1123
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

13 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 5mA, 10V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NSBA123EF3T5G”.

NSBA123JDXV6T1G

NSBA123JDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA115TF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123TF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123JF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA114YDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA114YDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123EDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA124EDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA114YF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123JDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA124EDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123JDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123JDXV6T5G

NSBA123JDXV6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA114TF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA124EDXV6T1G

NSBA124EDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123TDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA115TDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.