Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > NSBA123JDXV6T1G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5836142

Obraz NSBA123JDXV6T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NSBA123JDXV6T1G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NSBA123JDXV6T1G.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

250mV @ 300µA, 10mA
Typ tranzystora

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet

SOT-563
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

47 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1)

2.2 kOhms
Moc - Max

500mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SOT-563, SOT-666
Inne nazwy

NSBA123JDXV6T1GOS
NSBA123JDXV6T1GOS-ND
NSBA123JDXV6T1GOSTR
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

-
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA
Podstawowy numer części

NSBA1*

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NSBA123JDXV6T1G”.

NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA115TDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA124EDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA124EDXV6T1G

NSBA124EDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123JDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123TDP6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA124XDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123JDXV6T5G

NSBA123JDXV6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA124EDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123EDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA114YF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123EF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123JF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA115TF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA124EDXV6T5G

NSBA124EDXV6T5G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123JDXV6T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA123TF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSBA124EF3T5G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.