Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > NHPJ08S600G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5248433Obraz NHPJ08S600G.ON Semiconductor

NHPJ08S600G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1200+
$0.39
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NHPJ08S600G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NHPJ08S600G.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    8A
  • Napięcie - Podział
    TO-220FP
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tube
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    TO-220-2 Full Pack
  • Temperatura pracy - złącze
    50ns
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Numer części producenta
    NHPJ08S600G
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220FP
  • Diode Configuration
    30µA @ 600V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    3.2V @ 8A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    600V
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 150°C

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NHPJ08S600G”.
NHPM220T3G

NHPM220T3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
V3P6-M3/84A

V3P6-M3/84A

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO220AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NHP620MFDT3G

NHP620MFDT3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHPV15S600G

NHPV15S600G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
GDP06S060D

GDP06S060D

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
NHPV08S600G

NHPV08S600G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SS15L RUG

SS15L RUG

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
MBRD350RL

MBRD350RL

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHP120SFT3G

NHP120SFT3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
U2D-E3/5BT

U2D-E3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N3297A

1N3297A

Opis: STANDARD RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
NHPJ15S600G

NHPJ15S600G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHP220SFT3G

NHP220SFT3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
R5100615XXWA

R5100615XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
SK24A M2G

SK24A M2G

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
NHPM120T3G

NHPM120T3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CDBER40

CDBER40

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0503

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RFQ
NHPD660T4G

NHPD660T4G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHP140SFT3G

NHP140SFT3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5619

1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.