Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > NHPD660T4G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2949896Obraz NHPD660T4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NHPD660T4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.375
5000+
$0.356
12500+
$0.342
25000+
$0.332
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NHPD660T4G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NHPD660T4G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    3V @ 6A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DPAK
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    NHPD660T4G-ND
    NHPD660T4GOSTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    5 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 6A Surface Mount DPAK
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    30µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    6A
  • Pojemność @ VR F
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NHPD660T4G”.
BYV98-50-TR

BYV98-50-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 50V 4A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MURH7005R

MURH7005R

Opis: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHP120SFT3G

NHP120SFT3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHP140SFT3G

NHP140SFT3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHPJ08S600G

NHPJ08S600G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MBRB745TR

MBRB745TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A D2PAK

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
NHPV15S600G

NHPV15S600G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHP220SFT3G

NHP220SFT3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHP620MFDT3G

NHP620MFDT3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CMR1F-06M BK

CMR1F-06M BK

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
S10CMHM3/I

S10CMHM3/I

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NHPM220T3G

NHPM220T3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
S3BHE3_A/I

S3BHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MBR12150LPS-TP

MBR12150LPS-TP

Opis: 12A,150V,SCHOTTKY,TO-277B PACKAG

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
NHPM120T3G

NHPM120T3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RS1BLHRHG

RS1BLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
NSR0130P2T5G

NSR0130P2T5G

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHPV08S600G

NHPV08S600G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NHPJ15S600G

NHPJ15S600G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.