Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > NGTB30N120IHSWG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6557403Obraz NGTB30N120IHSWG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB30N120IHSWG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NGTB30N120IHSWG
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 30A TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NGTB30N120IHSWG.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.4V @ 15V, 30A
  • Stan testu
    600V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    -/210ns
  • Przełączanie Energy
    1mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    192W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    NGTB30N120IHSWG-ND
    NGTB30N120IHSWGOS
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • brama Charge
    220nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 192W Through Hole TO-247
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    200A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    60A

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NGTB30N120IHSWG”.
NGTB30N60L2WG

NGTB30N60L2WG

Opis: IGBT 600V 30A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N60IHLWG

NGTB30N60IHLWG

Opis: IGBT 600V 30A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N135IHR1WG

NGTB30N135IHR1WG

Opis: IGBT 1350V 30A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120FL2WG

NGTB25N120FL2WG

Opis: IGBT 1200V 25A TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120FL2WAG

NGTB25N120FL2WAG

Opis: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N60SWG

NGTB30N60SWG

Opis: IGBT 600V 60A 189W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N120L2WG

NGTB30N120L2WG

Opis: IGBT 1200V 60A 534W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N120IHRWG

NGTB30N120IHRWG

Opis: IGBT 1200V 60A 384W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N120FL2WG

NGTB30N120FL2WG

Opis: IGBT 1200V 60A 452W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N135IHRWG

NGTB30N135IHRWG

Opis: IGBT 1350V 60A 394W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N120LWG

NGTB30N120LWG

Opis: IGBT 1200V 30A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120SWG

NGTB25N120SWG

Opis: IGBT 25A 1200V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

Opis: IGBT 600V 70A 300W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120FL3WG

NGTB25N120FL3WG

Opis: IGBT 1200V 100A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N60FWG

NGTB30N60FWG

Opis: IGBT 600V 60A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N60FLWG

NGTB30N60FLWG

Opis: IGBT 600V 60A 250W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120FLWG

NGTB25N120FLWG

Opis: IGBT 1200V 25A TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120IHLWG

NGTB25N120IHLWG

Opis: IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120LWG

NGTB25N120LWG

Opis: IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N120IHLWG

NGTB30N120IHLWG

Opis: IGBT 1200V 30A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.