Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > NGTB25N120FL2WAG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
287557

NGTB25N120FL2WAG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
90+
$4.574
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NGTB25N120FL2WAG
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NGTB25N120FL2WAG.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.4V @ 15V, 25A
  • Stan testu
    600V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    17ns/113ns
  • Przełączanie Energy
    990µJ (on), 660µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247-4L
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    136ns
  • Moc - Max
    385W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-4
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Field Stop
  • brama Charge
    181nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Field Stop 1200V 100A 385W Through Hole TO-247-4L
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    100A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NGTB25N120FL2WAG”.
NGTB30N120IHRWG

NGTB30N120IHRWG

Opis: IGBT 1200V 60A 384W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120FL2WG

NGTB25N120FL2WG

Opis: IGBT 1200V 25A TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB20N120LWG

NGTB20N120LWG

Opis: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB20N120IHRWG

NGTB20N120IHRWG

Opis: IGBT 1200V 40A 384W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB20N120IHSWG

NGTB20N120IHSWG

Opis: IGBT 1200V 20A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120FLWG

NGTB25N120FLWG

Opis: IGBT 1200V 25A TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120IHLWG

NGTB25N120IHLWG

Opis: IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120SWG

NGTB25N120SWG

Opis: IGBT 25A 1200V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB20N120IHLWG

NGTB20N120IHLWG

Opis: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N120IHSWG

NGTB30N120IHSWG

Opis: IGBT 1200V 30A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N120IHLWG

NGTB30N120IHLWG

Opis: IGBT 1200V 30A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB15N60S1EG

NGTB15N60S1EG

Opis: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120LWG

NGTB25N120LWG

Opis: IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB20N120IHTG

NGTB20N120IHTG

Opis: IGBT 1200V 20A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB20N60L2TF1G

NGTB20N60L2TF1G

Opis: IGBT 600V 20A TO3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB25N120FL3WG

NGTB25N120FL3WG

Opis: IGBT 1200V 100A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB15N60R2FG

NGTB15N60R2FG

Opis: IGBT 15A 600V TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB20N120IHWG

NGTB20N120IHWG

Opis: IGBT 20A 1200V TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB20N135IHRWG

NGTB20N135IHRWG

Opis: IGBT 1350V 40A 394W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NGTB30N120FL2WG

NGTB30N120FL2WG

Opis: IGBT 1200V 60A 452W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.