Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > MVGSF1N02LT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1412363Obraz MVGSF1N02LT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MVGSF1N02LT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.175
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MVGSF1N02LT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MVGSF1N02LT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    90 mOhm @ 1.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    400mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    MVGSF1N02LT1G-ND
    MVGSF1N02LT1GOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    125pF @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    750mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MVGSF1N02LT1G”.
STS8N6LF6AG

STS8N6LF6AG

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IPW65R045C7300XKSA1

IPW65R045C7300XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V TO-247-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
MVGSF1N03LT1G

MVGSF1N03LT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MVG24-110/32DFX-BOTTLE

MVG24-110/32DFX-BOTTLE

Opis: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.11 100PC

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FQPF10N60CT

FQPF10N60CT

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HUFA76443P3

HUFA76443P3

Opis: MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TSM120NA03CR RLG

TSM120NA03CR RLG

Opis: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SI3456CDV-T1-GE3

SI3456CDV-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SI1426DH-T1-GE3

SI1426DH-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
MVG24-110DFK

MVG24-110DFK

Opis: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.110

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
STP185N10F3

STP185N10F3

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A TO220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NTD50N03R

NTD50N03R

Opis: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N7000RLRMG

2N7000RLRMG

Opis: MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPU80R2K4P7AKMA1

IPU80R2K4P7AKMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TK90S06N1L,LQ

TK90S06N1L,LQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.