Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > MVGSF1N03LT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4834909Obraz MVGSF1N03LT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MVGSF1N03LT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.196
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MVGSF1N03LT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MVGSF1N03LT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    100 mOhm @ 1.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    420mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    MVGSF1N03LT1G-ND
    MVGSF1N03LT1GOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    140pF @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 1.6A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.6A (Ta)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MVGSF1N03LT1G”.
AOTF11N62L

AOTF11N62L

Opis: MOSFET N-CH 620V 11A TO220F

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IRFP470

IRFP470

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTQ240N055T

IXTQ240N055T

Opis: MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRF3708STRL

IRF3708STRL

Opis: MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDD86102LZ

FDD86102LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AO6403L

AO6403L

Opis: MOSFET P-CH 30V 6A 6TSOP

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
RFD3055SM9A

RFD3055SM9A

Opis: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK7M33-60EX

BUK7M33-60EX

Opis: MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IRFB4410

IRFB4410

Opis: MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STL9P3LLH6

STL9P3LLH6

Opis: MOSFET PCH 30V 9A POWERFLAT

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FCPF4300N80Z

FCPF4300N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MVG24-110DFK

MVG24-110DFK

Opis: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.110

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
MVGSF1N02LT1G

MVGSF1N02LT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB070AN06A0

FDB070AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CSD19532Q5BT

CSD19532Q5BT

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A VSON

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRF2903ZSTRRP

IRF2903ZSTRRP

Opis: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
64-6006PBF

64-6006PBF

Opis: MOSFET N-CH 300V 46A TO-247AC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
MVG24-110/32DFX-BOTTLE

MVG24-110/32DFX-BOTTLE

Opis: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.11 100PC

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.