Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > MUN5113DW1T1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4594361Obraz MUN5113DW1T1G.ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.29
10+
$0.24
100+
$0.127
500+
$0.084
1000+
$0.057
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MUN5113DW1T1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MUN5113DW1T1G.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    100mA
  • Napięcie - Podział
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    50V
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Digi-Reel®
  • Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm)
    47k
  • Opornik - Baza (R1) (Ohm)
    -
  • Moc - Max
    250mW
  • Polaryzacja
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    MUN5113DW1T1GOSDKR
  • Noise Figure (dB Typ @ f)
    47k
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Numer części producenta
    MUN5113DW1T1G
  • Częstotliwość - Transition
    80 @ 5mA, 10V
  • Rozszerzony opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Opis
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    500nA
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MUN5113DW1T1G”.
MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5113T3G

MUN5113T3G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2235T1G

MUN2235T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5112T1G

MUN5112T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5114T1

MUN5114T1

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2238T1G

MUN2238T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2241T1

MUN2241T1

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5113T1G

MUN5113T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2237T1G

MUN2237T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5114T1G

MUN5114T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5115T1G

MUN5115T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5115DW1T1G

MUN5115DW1T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5111T1G

MUN5111T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5113T1

MUN5113T1

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2240T1G

MUN2240T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5115T1

MUN5115T1

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5114DW1T1

MUN5114DW1T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2236T1

MUN2236T1

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.