Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > MUN5111DW1T1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3315442Obraz MUN5111DW1T1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.25
10+
$0.201
100+
$0.107
500+
$0.07
1000+
$0.048
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MUN5111DW1T1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MUN5111DW1T1G.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Typ tranzystora
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    10 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    250mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    MUN5111DW1T1GOSCT
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    40 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    -
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
  • Podstawowy numer części
    MUN51**DW1T

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MUN5111DW1T1G”.
MUN2238T1G

MUN2238T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5114T1

MUN5114T1

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2236T1

MUN2236T1

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2235T1G

MUN2235T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5114DW1T1

MUN5114DW1T1

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2241T1

MUN2241T1

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5113T1

MUN5113T1

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5113T1G

MUN5113T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5111T1G

MUN5111T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2233T1G

MUN2233T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5112T1G

MUN5112T1G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2240T1G

MUN2240T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5113DW1T1G

MUN5113DW1T1G

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2233T1

MUN2233T1

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2237T1G

MUN2237T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2232T1G

MUN2232T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN5113T3G

MUN5113T3G

Opis: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MUN2234T1G

MUN2234T1G

Opis: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.