Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Izolatory > Optoizolatory - tranzystor, wyjście fotowoltaiczne > H11G2S
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5805033

H11G2S

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    H11G2S
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    H11G2S.pdf
  • Napięcie - Wyjście (Max)
    80V
  • Napięcie - Izolacja
    5300Vrms
  • Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)
    1.3V
  • Vce Nasycenie (Max)
    1V
  • Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ)
    5µs, 100µs
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-SMD
  • Seria
    -
  • Czas narastania / spadku (typ)
    -
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    6-SMD, Gull Wing
  • Typ wyjścia
    Darlington with Base
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 100°C
  • Liczba kanałów
    1
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    DC
  • szczegółowy opis
    Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Obecny współczynnik przenikania (min)
    1000% @ 10mA
  • Obecny współczynnik przenikania (Max)
    -
  • Obecny - Wyjście / Channel
    -
  • Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)
    60mA

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „H11G2S”.
H11G23S

H11G23S

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2SR2VM

H11G2SR2VM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2300W

H11G2300W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2SVM

H11G2SVM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G1SR2VM

H11G1SR2VM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2300

H11G2300

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2TVM

H11G2TVM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G1W

H11G1W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2W

H11G2W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2

H11G2

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G23SD

H11G23SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2M

H11G2M

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2SM

H11G2SM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2M_F132

H11G2M_F132

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2VM

H11G2VM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G3

H11G3

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G3300

H11G3300

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2SD

H11G2SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G1TVM

H11G1TVM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2SR2M

H11G2SR2M

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.