Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Izolatory > Optoizolatory - tranzystor, wyjście fotowoltaiczne > H11G1SR2VM

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4034155

Obraz H11G1SR2VM.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G1SR2VM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1000+

$0.407

2000+

$0.387

5000+

$0.378

10000+

$0.364

25000+

$0.352

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

H11G1SR2VM
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

H11G1SR2VM.pdf
Napięcie - Wyjście (Max)

100V
Napięcie - Izolacja

4170Vrms
Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)

1.3V
Vce Nasycenie (Max)

1V
Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ)

5µs, 100µs
Dostawca urządzeń Pakiet

6-SMD
Seria

-
Czas narastania / spadku (typ)

-
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-SMD, Gull Wing
Typ wyjścia

Darlington with Base
Inne nazwy

H11G1SR2VM-ND
H11G1SR2VMTR
temperatura robocza

-40°C ~ 100°C
Liczba kanałów

1
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

9 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Typ wejścia

DC
szczegółowy opis

Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
Obecny współczynnik przenikania (min)

1000% @ 10mA
Obecny współczynnik przenikania (Max)

-
Obecny - Wyjście / Channel

-
Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)

60mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „H11G1SR2VM”.

H11G2300W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2300

H11G2300

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1TVM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2M

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2M_F132

H11G2M_F132

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1S

H11G1S

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G13SD

H11G13SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1

H11G1

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1300W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1SM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2S

H11G2S

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1M

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G23SD

H11G23SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2

H11G2

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1300

H11G1300

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1SR2M

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G1SD

H11G1SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G13S

H11G13S

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G23S

H11G23S

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.