Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Izolatory > Optoizolatory - tranzystor, wyjście fotowoltaiczne > H11G2SR2VM

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3078428

Obraz H11G2SR2VM.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G2SR2VM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1000+

$0.425

2000+

$0.404

5000+

$0.395

10000+

$0.38

25000+

$0.367

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

H11G2SR2VM
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

H11G2SR2VM.pdf
Napięcie - Wyjście (Max)

80V
Napięcie - Izolacja

4170Vrms
Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)

1.3V
Vce Nasycenie (Max)

1V
Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ)

5µs, 100µs
Dostawca urządzeń Pakiet

6-SMD
Seria

-
Czas narastania / spadku (typ)

-
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-SMD, Gull Wing
Typ wyjścia

Darlington with Base
Inne nazwy

H11G2SR2VM-ND
H11G2SR2VMTR
temperatura robocza

-40°C ~ 100°C
Liczba kanałów

1
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

9 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Typ wejścia

DC
szczegółowy opis

Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
Obecny współczynnik przenikania (min)

1000% @ 10mA
Obecny współczynnik przenikania (Max)

-
Obecny - Wyjście / Channel

-
Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)

60mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „H11G2SR2VM”.

H11G3

H11G3

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2300W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2M_F132

H11G2M_F132

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G3300W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2TVM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G3M

Opis: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G33SD

H11G33SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2300

H11G2300

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2SD

H11G2SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G33S

H11G33S

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G23S

H11G23S

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2SR2M

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2VM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G3300

H11G3300

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2SM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2S

H11G2S

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G23SD

H11G23SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2M

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

H11G2SVM

H11G2SVM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.