Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQNL1N50BBU
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5056901Obraz FQNL1N50BBU.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQNL1N50BBU

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQNL1N50BBU
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FQNL1N50BBU.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-92L
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9 Ohm @ 135mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.5W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    150pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92L
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    270mA (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQNL1N50BBU”.
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Opis: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PSMN1R1-30EL,127

PSMN1R1-30EL,127

Opis: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
NTD4965NT4G

NTD4965NT4G

Opis: MOSFET N-CH 30V 68A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Opis: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK353900L

2SK353900L

Opis: MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FQNL2N50BTA

FQNL2N50BTA

Opis: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS5H600NLT3G

NTMFS5H600NLT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V 35A 250A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLR8113TR

IRLR8113TR

Opis: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

Opis: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SPP47N10

SPP47N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 47A TO-220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
AOL1404G

AOL1404G

Opis: MOSFET N-CH 20V 18A 8ULTRASO

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
PMZB1200UPEYL

PMZB1200UPEYL

Opis: MOSFET P-CH 30V SOT883

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
PMZ370UNEYL

PMZ370UNEYL

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Opis: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Opis: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STI6N80K5

STI6N80K5

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NP32N055SDE-E1-AZ

NP32N055SDE-E1-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.