Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQN1N60CTA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1360440

FQN1N60CTA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.184
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQN1N60CTA
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FQN1N60CTA.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-92-3
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    11.5 Ohm @ 150mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    1W (Ta), 3W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Inne nazwy
    FQN1N60CTA-ND
    FQN1N60CTATB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    170pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    300mA (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQN1N60CTA”.
IRLR7833TRLPBF

IRLR7833TRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
2SK3710

2SK3710

Opis: MOSFET N-CH 60V TO220S

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
RFQ
2N7002CKVL

2N7002CKVL

Opis: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
AOD4504

AOD4504

Opis: MOSFET N-CH 200V 6A TO252

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FQNL2N50BTA

FQNL2N50BTA

Opis: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI6469DQ-T1-E3

SI6469DQ-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Opis: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP33N10

FQP33N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BS108,126

BS108,126

Opis: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

Opis: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFV30N50PS

IXFV30N50PS

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

Opis: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Opis: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PMN23UN,165

PMN23UN,165

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
NTMFS4847NT1G

NTMFS4847NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Opis: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STDLED623

STDLED623

Opis: MOSFET N-CH 620V 3A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRF9388TRPBF

IRF9388TRPBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STB3NK60ZT4

STB3NK60ZT4

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.