Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD2N50TF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4816622

FQD2N50TF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQD2N50TF
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQD2N50TF.pdf
    2.FQD2N50TF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-Pak
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5.3 Ohm @ 800mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    230pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.6A (Tc)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD2N50TF”.
FQD2N60CTM

FQD2N60CTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N40TF

FQD2N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD20N06LTM

FQD20N06LTM

Opis: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N40TM

FQD2N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD24N08TF

FQD24N08TF

Opis: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N80TM_WS

FQD2N80TM_WS

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N100TM

FQD2N100TM

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD20N06TM

FQD20N06TM

Opis: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N50TM

FQD2N50TM

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N60TM

FQD2N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N30TM

FQD2N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N60CTM-WS

FQD2N60CTM-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.9A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N80TF

FQD2N80TF

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N60CTF

FQD2N60CTF

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N60TF

FQD2N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD24N08TM

FQD24N08TM

Opis: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N100TF

FQD2N100TF

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N60CTF_F080

FQD2N60CTF_F080

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N80TM

FQD2N80TM

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD20N06TF

FQD20N06TF

Opis: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.