Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD2N60CTM

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3463966

FQD2N60CTM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2500+

$0.403

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FQD2N60CTM
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.FQD2N60CTM.pdf
2.FQD2N60CTM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D-Pak
Seria

QFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Strata mocy (max)

2.5W (Ta), 44W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Inne nazwy

FQD2N60CTM-ND
FQD2N60CTMTR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

23 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

235pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

12nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

600V
szczegółowy opis

N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

1.9A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD2N60CTM”.

FQD2N50TM

FQD2N50TM

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N100TF

FQD2N100TF

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2P40TF

FQD2P40TF

Opis: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N30TM

FQD2N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD24N08TM

FQD24N08TM

Opis: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N60TF

FQD2N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N90TF

FQD2N90TF

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N60TM

FQD2N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N60CTM-WS

FQD2N60CTM-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.9A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N80TF

FQD2N80TF

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N80TM_WS

FQD2N80TM_WS

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N100TM

FQD2N100TM

Opis: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N40TM

FQD2N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N90TM

FQD2N90TM

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N60CTF_F080

FQD2N60CTF_F080

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N50TF

FQD2N50TF

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2P40TF_F080

FQD2P40TF_F080

Opis: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N80TM

FQD2N80TM

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N40TF

FQD2N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD2N60CTF

FQD2N60CTF

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.