Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQA7N80_F109
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3563259Obraz FQA7N80_F109.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA7N80_F109

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQA7N80_F109
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FQA7N80_F109.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3PN
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.5 Ohm @ 3.6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    198W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1850pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 7.2A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Tc)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQA7N80_F109”.
FQA7N80C-F109

FQA7N80C-F109

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

Opis: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA70N15

FQA70N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA85N06

FQA85N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N60

FQA7N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N90_F109

FQA7N90_F109

Opis: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA8N90C-F109

FQA8N90C-F109

Opis: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N80

FQA7N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N90M

FQA7N90M

Opis: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA6N90

FQA6N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA6N90C-F109

FQA6N90C-F109

Opis: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA8N100C

FQA8N100C

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA8N80C

FQA8N80C

Opis: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N90

FQA7N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA70N10

FQA70N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA8N90C

FQA8N90C

Opis: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA6N80_F109

FQA6N80_F109

Opis: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N90M_F109

FQA7N90M_F109

Opis: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N80C

FQA7N80C

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

Opis: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.