Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQA6N90
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5210290Obraz FQA6N90.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA6N90

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQA6N90
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FQA6N90.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3P
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.9 Ohm @ 3.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    198W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1880pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    900V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 900V 6.4A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.4A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQA6N90”.
FQA7N80_F109

FQA7N80_F109

Opis: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N80

FQA7N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA6N80

FQA6N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA70N10

FQA70N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA65N06

FQA65N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 72A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA62N25C

FQA62N25C

Opis: MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA6N70

FQA6N70

Opis: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA55N25

FQA55N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA5N90_F109

FQA5N90_F109

Opis: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA6N90C-F109

FQA6N90C-F109

Opis: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

Opis: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA65N20

FQA65N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA55N10

FQA55N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N80C

FQA7N80C

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA5N90

FQA5N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA70N15

FQA70N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N60

FQA7N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N90

FQA7N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA7N80C-F109

FQA7N80C-F109

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA6N80_F109

FQA6N80_F109

Opis: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.