Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDS6612A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2687201Obraz FDS6612A.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6612A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.337
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDS6612A
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDS6612A.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    22 mOhm @ 8.4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    FDS6612ATR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    26 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    560pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.6nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 8.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8.4A (Ta)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDS6612A”.
FDS6673BZ

FDS6673BZ

Opis: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6298_G

FDS6298_G

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6630A

FDS6630A

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6670A

FDS6670A

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6675A

FDS6675A

Opis: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6672A

FDS6672A

Opis: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6609A

FDS6609A

Opis: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6574A

FDS6574A

Opis: MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6670AS

FDS6670AS

Opis: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6673BZ-F085

FDS6673BZ-F085

Opis: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6575

FDS6575

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6675

FDS6675

Opis: MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6614A

FDS6614A

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6298

FDS6298

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6673AZ

FDS6673AZ

Opis: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6570A

FDS6570A

Opis: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6375

FDS6375

Opis: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6576

FDS6576

Opis: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6299S

FDS6299S

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6572A

FDS6572A

Opis: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.